HTRB 高温反偏试验系统

我司 HTRB 高温反偏试验系统（High Temperature Reverse Bias System）专为 Si/SiC/GaN 半导体器件（功率单管、模块、芯片等）设计，核心用于高温环境下的反偏可靠性测试与老化筛选，精准验证器件在高温偏置工况下的长期稳定性与抗失效能力。

核心参数

高温环境

试验温度：RT~200℃，均匀性≤±3℃、波动度≤±0.5℃，稳定模拟器件高温工作场景

试验配置

通道数量：12/16 通道可选，单通道独立控制，整机工位最高 720 个，支持批量测试

反偏电源：Max 2000V，正负压可选，适配不同器件耐压需求

检测精度

电压检测：0~2000.0V（分辨率 0.1V，精度 ±(0.5% rdg.+0.1V)）

漏电流检测：1nA~50mA（分辨率 1nA，精度 ±(0.5% rdg.+0.01μA)），精准捕捉微弱性能漂移

系统特性

支持远程监控与数据自动存储，试验过程可追溯、可分析

防凝露、防过载设计，保障测试稳定性与安全性

核心优势

聚焦高温反偏专属测试场景，高温度精度 + 高检测灵敏度，高效筛选器件潜在缺陷，助力企业提升产品良率与极端工况下的应用可靠性。