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IGBT/SiC 模块 H3TRB高温高湿反偏试验系统

IGBT/SiC 模块 H3TRB高温高湿反偏试验系统

高温高湿反偏试验系统专为 IGBT/SiC 模块设计,可通过适配不同老化板,完成各类封装形式模块的高温高湿反偏可靠性测试、高温反偏试验,老化筛选及双 85 试验,精准验证模块在湿热偏置工况下的长期稳定性。

核心参数

环境能力

高低温(湿热)箱:-70℃~+180℃ / 10~98% RH,覆盖宽幅温湿度场景

试验容量

8 -12通道,单板最多 12 工位、整机最多 144 工位,适配批量测试需求

电源配置

3台正压 + 3台负压电源 + Vg 夹断电压(60V),量程 Max±2000V,满足模块偏置需求

检测精度

电压范围:0~±2000.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(0.5%+0.2V))

漏电流:0.001μA~50.0mA(分辨率 0.001μA,精度 ±(0.1% rdg.+0.01)μA),精准捕捉微弱性能变化

核心优势

适配 IGBT/SiC 模块专属测试场景,宽环境范围 + 高精度检测,助力快速筛选模块潜在失效风险,提升产品可靠性验证效率。


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