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IGBT/SiC 模块 HTRB 高温反偏试验系统专为 IGBT/SiC 功率模块设计，可完成各类封装形式模块的高温反偏可靠性测试与老化筛选，精准验证模块在高温偏置工况下的长期运行稳定性。
核心参数
高温环境
试验箱温度：RT~175℃，均匀性≤±2℃、波动度≤±0.5℃，适配模块高温工作场景
试验容量
8 通道，单板 12 工位 / 整机 80 工位，匹配模块类产品的测试规模
电源配置
3台正压电源 + 3台负压电源（Max ±2000V）+Vg 夹断电源（60V），满足模块多电压偏置需求
检测精度
反偏电压：0~±2000.0V（分辨率 0.1V，精度 ±(0.5% rdg.+0.2V)）
漏电流：0.001μA~50mA（分辨率 0.001μA，精度 ±(0.1% rdg.+0.01μA)）
核心优势
适配 IGBT/SiC 模块专属测试场景，宽电压范围 + 高精度检测，可精准捕捉模块高温偏置下的潜在失效风险，助力企业优化模块设计、提升产品可靠性。
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