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我司功率单管 HTRB 高温反偏试验系统专为 Si/SiC/GaN 功率单管（二极管、MOSFET、IGBT 单管等）设计，可完成高温环境下的反偏可靠性测试与老化筛选，精准验证单管在高温偏置工况下的长期工作稳定性。
核心参数
高温环境
试验箱温度：RT~200℃，均匀性≤±3℃、波动度≤±0.5℃，模拟单管高温工作场景
试验容量
16 通道，单板 80 工位 / 整机1280 工位，支持批量单管测试
电源配置
8台反偏电源（Max 1500V），独立通道电压输出，适配不同单管耐压需求
检测精度
电压：0~1500.0V（分辨率 0.1V，精度 ±(1% rdg.+1V)）
漏电流：0.1uA~50mA（分辨率 0.1uA，精度 ±(0.1% rdg.+2μA)）
核心优势
聚焦功率单管高温反偏测试场景，高工位容量 + 高精度检测，高效捕捉单管高温偏置下的性能漂移，助力企业快速筛选瑕疵器件、提升产品良率。
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