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我司功率单管 H3TRB 高温高湿反偏试验系统专为 Si/SiC/GaN 等材质功率单管（二极管、MOSFET、IGBT 单管等）设计，可完成高温高湿反偏可靠性测试、老化筛选及双 85 试验，精准验证单管在湿热偏置工况下的长期稳定性。
核心参数
环境能力
温湿度箱：-20~180℃ / 10%~98% RH，温度均匀性≤±2℃、湿度均匀性≤±3% RH
试验容量
16 通道，单板 40工位 / 整机 640工位，支持批量单管测试
电源配置
8 台反偏电源（60V~1200V），适配不同单管偏置需求
检测精度
电压：0~1200.0V（分辨率 0.1V，精度 ±(0.5% rdg.+0.1V)）
漏电流：1nA~30mA（分辨率 1nA，精度 ±(0.5% rdg.+0.01μA)）
核心优势
聚焦功率单管专属测试场景，高通道 + 高精度检测，高效筛选单管湿热偏置下的潜在失效风险，助力提升单管产品良率与应用可靠性。
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