高温栅偏试验系统HTGB

高温栅偏试验系统HTGB

高温栅偏试验系统HTGB是将被测量元件放置在一定的环境温度中,给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。同时测控系统实时检测每个材料的漏电流、电压,并根据预先设定,当被测材料实时漏电流超过设定值时,自动切断被测材料上的电压,可以保护被测元件不会进一步烧毁。适用于MOSFET和IGBT在指定的TJ 下1000小时。

设计和技术参数
产品型号AS-HTGB-T08AS-HTGB-R16AS-HTGB-W32AS-HTGB-R08B
箱体尺寸
试验箱内容积升(L )91216432216
内箱尺寸mm宽(W)450600600600
高(H)4506001200600
深(D)450600600600
外箱尺寸(mm)宽(W)720136015001360
高(H)1620181518151815
深(D)1060132013201320
技术参数
适用器件适用于单管或单桥封装的MOSFET、SCR、IGBT桥堆IGBT模块
高温温度范围RT+10~200℃
试验通道8 个16 个32   4   个
试验容量80×8=640 位80×16=1280 位80×32=2560 位20×8=160 位
电源数量4台8台16 台8台
试验电源输出范围:0~35V或0~60V
控制系统12.1英寸彩色液晶显示器
老化板根据用户要求选配,标配基板Tg =260℃ ,特殊高温可按要求定制;
电气配置单相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW
选配功能
开门断电可选配
单工位断电保护可选配
双箱体分区控温可选配
执行标准:
符合JESD22-A108MIL-STD-750 Method 1038AEC Q101