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可控硅可靠性测试及测试标准-高压加速寿命试验/高压蒸煮(二)

来源:原创 浏览:103 发布日期:2020-02-27

二、高压加速寿命试验/高压蒸煮(PCT/Autoclave)

目的:检验器件抵抗水汽侵入及腐蚀的能力,不包括外部腐蚀。

条件: 121℃/100%RH,205kPa2atm),96hrs

失效机理湿气通过塑封体及各界面被吸入并到达芯片表面,在键合区形成原电池而加速铝的腐蚀。另外,水汽带入的杂质在器件表面形成漏电通道。试验后因管脚腐蚀引起的开路或塑封体表面漏电等失效不计。

试验标准: JESD22-A102C


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