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可控硅可靠性测试及测试标准-温度冲击(循环)试验(一)

来源:原创 浏览:29 发布日期:2020-02-22

可控硅可靠性测试及测试标准--环境类试验项目

可靠性试验是评估产品一定时间内可靠性水平,暴露存在的问题。可靠性是设计并制作在产品内的,而不是试验出来的。可靠性试验只能降低用户的风险。新的可靠性评估方法是为评估生产线的设计及工艺水平的,相信合格的生产线能把可靠性做到产品中去。

一、温度冲击(循环)试验(TC /TS)测试

目的:模拟环境温度变化或开关机造成的温度变化,考核温度交替变化对产品机械/电性能的影响,暴露粘片/键合/塑封等封装工艺/材料缺陷,及金属化/钝化等圆片工艺问题。

条件:-65℃~150℃  (500cycle/1000cycle)

失效机理:不同材料间热膨胀系数差异造成界面热匹配问题,造成金线断裂、键合脱落(开路)、塑封开裂(密封性失效)、界面分层(热阻增大) 、键合线开短路 、钝化层开裂、硅铝接触开路、芯片背面划痕继续长大导致芯片开裂。

测试标准: JESD22-A104-C


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